• <dd id="mqmeq"><samp id="mqmeq"></samp></dd>
  • <blockquote id="mqmeq"></blockquote>
    <sup id="mqmeq"></sup>

    您好!歡迎光臨烜芯微科技品牌官網!

    深圳市烜芯微科技有限公司

    ShenZhen XuanXinWei Technoligy Co.,Ltd
    二極管、三極管、MOS管、橋堆

    全國服務熱線:18923864027

  • 熱門關鍵詞:
  • 橋堆
  • 場效應管
  • 三極管
  • 二極管
  • MOS管開關速度與怎么提高MOS管開關速度
    • 發布時間:2022-07-18 18:34:24
    • 來源:
    • 閱讀次數:
    MOS管開關速度與怎么提高MOS管開關速度
    MOS管的開關速度
    MOSFET的開關速度和Cin充放電有很大關系,使用者無法降低Cin,但可降低驅動電路內阻Rs減小時間常數,加快開關速度,MOSFET只靠多子導電,不存在少子儲存效應,因而關斷過程非常迅速,開關時間在10—100ns之間,工作頻率可達100kHz以上,是主要電力電子器件中最高的。
    場控器件靜態時幾乎不需輸入電流。但在開關過程中需對輸入電容充放電,仍需一定的驅動功率。開關頻率越高,所需要的驅動功率越大。
    動態性能的改進
    在器件應用時除了要考慮器件的電壓、電流、頻率外,還必須掌握在應用中如何保護器件,不使器件在瞬態變化中受損害。
    當然晶閘管是兩個雙極型晶體管的組合,又加上因大面積帶來的大電容,所以其dv/dt能力是較為脆弱的。對di/dt來說,它還存在一個導通區的擴展問題,所以也帶來相當嚴格的限制。
    功率MOSFET的情況有很大的不同。它的dv/dt及di/dt的能力常以每納秒(而不是每微秒)的能力來估量。但盡管如此,它也存在動態性能的限制。這些我們可以從功率MOSFET的基本結構來予以理解。
    除了器件的幾乎每一部分存在電容以外,還必須考慮MOSFET還并聯著一個二極管。同時從某個角度看、它還存在一個寄生晶體管。(就像IGBT也寄生著一個晶閘管一樣)。這幾個方面,是研究MOSFET動態特性很重要的因素。
    首先MOSFET結構中所附帶的本征二極管具有一定的雪崩能力。通常用單次雪崩能力和重復雪崩能力來表達。
    當反向di/dt很大時,二極管會承受一個速度非??斓拿}沖尖刺,它有可能進入雪崩區,一旦超越其雪崩能力就有可能將器件損壞。
    作為任一種PN結二極管來說,仔細研究其動態特性是相當復雜的。它們和我們一般理解PN結正向時導通反向時阻斷的簡單概念很不相同。當電流迅速下降時,二極管有一階段失去反向阻斷能力,即所謂反向恢復時間。
    PN結要求迅速導通時,也會有一段時間并不顯示很低的電阻。在功率MOSFET中一旦二極管有正向注入,所注入的少數載流子也會增加作為多子器件的MOSFET的復雜性。
    功率MOSFET的設計過程中采取措施使其中的寄生晶體管盡量不起作用。在不同代功率MOSFET中其措施各有不同,但總的原則是使漏極下的橫向電阻RB盡量小。
    因為只有在漏極N區下的橫向電阻流過足夠電流為這個N區建立正偏的條件時,寄生的雙極性晶閘管才開始發難。然而在嚴峻的動態條件下,因dv/dt通過相應電容引起的橫向電流有可能足夠大。
    此時這個寄生的雙極性晶體管就會起動,有可能給MOSFET帶來損壞。所以考慮瞬態性能時對功率MOSFET器件內部的各個電容(它是dv/dt的通道)都必須予以注意。
    瞬態情況是和線路情況密切相關的,這方面在應用中應給予足夠重視。對器件要有深入了解,才能有利于理解和分析相應的問題。
    如何提高MOS管開關速度?
    1.提高柵極的驅動能力
    因場效應管柵極電容的影響,一般需要大于正負1A的驅動能力,柵極電阻不大于10歐,反向接二極管提高關斷速度。
    2.推挽驅動
    MOS管開關速度
    〈烜芯微/XXW〉專業制造二極管,三極管,MOS管,橋堆等,20年,工廠直銷省20%,上萬家電路電器生產企業選用,專業的工程師幫您穩定好每一批產品,如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以直接聯系下方的聯系號碼或加QQ/微信,由我們的銷售經理給您精準的報價以及產品介紹
     
    聯系號碼:18923864027(同微信)
    QQ:709211280
    相關閱讀